场效应管：场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide...

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，场效应管的作用，而这时所谓的“反型层”（inversionchannel）就会形成。...

判断跨导的大小测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时，mosfet串联，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极...

当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，mosfet三极管，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversionchannel）就会形...

3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm决定，晶体管电流Ic与Ib之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm衡量，晶体管的放大能力用β衡量。4：场效应管的输入阻抗很...

无标示管的判别：首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第1栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测...

使用优势：场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。场效应管在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用...

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，深圳mosfet，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电...

众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:第1，mosfet1200v，金属栅极采用V型槽结构...